橢偏儀主要應(yīng)用在薄膜科學(xué)相關(guān)的各行業(yè)，用來測量薄膜（多層）的厚度、粗糙度以及光學(xué)常數(shù)（如吸收系數(shù)、折射率等）　?。?） 半導(dǎo)體工業(yè)的各種薄膜和多層結(jié)構(gòu)?！　。?） 光電子工業(yè)的涂層　?。?） 數(shù)據(jù)存儲工業(yè)的磁膜　?。?） 平板顯示工業(yè)的 ITO薄膜和薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)　　（5） 生物和化學(xué)工業(yè)的各種有機層，分子膜等

 DRE公司設(shè)計的基于誤差修正的步進馬達和MinSearch算法基礎(chǔ)上的高精度橢偏儀，測量更為簡單、快速，而且結(jié)果更為準確。樣品的Alignment非常簡單，只需調(diào)整樣品臺下方的旋鈕，改變 Light Angle和 Light Intensity，并借助四象限探測器在計算機屏幕上顯示的調(diào)整狀況，便可在不超過 30 秒鐘的時間內(nèi)完成。無需經(jīng)常做儀器校準。由于使用高精度的 Step Motor，且無需使用Reference Sample經(jīng)常進行做儀器Calibration?？蛇M行超薄膜（皮米級）的分析?？蛇M行半導(dǎo)體Si Wafer 表面灰塵的分析，這是目前所有橢偏儀廠商中*具備此項功能的一家。薄膜粗糙度 (Roughness) 的表征也是目前所有橢偏儀制造廠中*特色的一家。可進行變溫（液氮至400ºC）測量。快速Mapping測量。使用X-Y 樣品臺, 進行 1 秒/點的Mapping 或微秒/點的快速掃描。可分析 8" 甚至于 12" Si Wafer的厚度變化。可進行微區(qū)分析(激光焦斑的尺寸可達1微米)。應(yīng)用范圍非常廣泛：如Si襯底上的SiO2和SixNy薄膜，光電子涂層，各種磁性薄膜，平板顯示工業(yè)的 ITO薄膜和薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)，生物和化學(xué)工業(yè)的各種有機層、分子膜，光觸媒用TiO2 薄膜分析，鋁熱交換器表面抗氧化薄膜，奔馳汽車引擎或汽缸激光焊接前的清潔薄膜分析等。同時，提供多種光譜儀選擇，如回轉(zhuǎn)檢偏器橢偏儀（RAE），高精度橢偏儀，消光型橢偏儀（Null Ellipsometer），光譜型橢偏儀（Spectroscopic Ellipsometer，190~2400 nm，可選），超高精度傳動橢偏儀等。