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表面電位衰減測試系統(tǒng)

產(chǎn)品介紹

本表面電位衰減測試系統(tǒng)是一款面向材料電學(xué)特性研究的高精度、多功能分析設(shè)備，專為評估介質(zhì)材料表面電荷動態(tài)衰減行為及陷阱能級分布而設(shè)計。系統(tǒng)集高壓極化、精準(zhǔn)溫控、快速信號采集及智能化分析于一體，支持針、柵、板三種電極配置，可模擬不同溫濕度環(huán)境下的材料電荷動態(tài)響應(yīng)，為絕緣材料、功能薄膜、電子器件等領(lǐng)域的研發(fā)與質(zhì)量控制提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支持。

表面電位衰減是通過電暈放電給絕緣材料表面進(jìn)行充電，充電過程中電暈中的電荷會進(jìn)入材料內(nèi)部?；谙葳謇碚?，這些空間電荷會被材料內(nèi)部的陷阱所捕獲形成表面電位。材料另一面與地電極相連，在撤去外加電壓后電荷逐漸脫陷從而形成電位衰減過程。電位的衰減主要是由于充電過程中的入陷電荷通過電荷輸運(yùn)流入地電極形成的。

系統(tǒng)基于表面電荷動態(tài)衰減法，通過以下步驟實現(xiàn)材料陷阱特性分析：

① 高壓極化：施加±30 kV電壓使樣品表面帶電，形成初始電位；

② 環(huán)境模擬：加熱臺精確控溫（±0.2℃），電極箱調(diào)節(jié)濕度，模擬實際工況；

③ 電位監(jiān)測：極化結(jié)束后，實時采集表面電位衰減信號（精度1 V，頻率＞1 Hz），記錄電位-時間曲線；

④ 數(shù)據(jù)分析：內(nèi)置算法解析衰減速率、陷阱深度及密度分布，量化材料電荷存儲與遷移特性。